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[국내특허등록][선택적 Ru 박막 성장 및 응용]- 귀교관리번호 : P20190625OP- 출원번호 : 10-2019-0143170- 권리자 : 한양대학교 산학협력단
[카테고리 : 2021]
[국내특허등록][원자층 증착법을 통한 In-Zn 산화물 유연 TFT 소자 제작법]- 귀교관리번호 : P20161063OP- 출원번호 : 10-2017-0028097- 출원의 명칭 : 아연 및 인듐을 포함하는 산화물 반도체 박막 및 그 제조 방법..
[카테고리 : 2021]
[국내특허등록][Polyimide 기반 유연 기판의 습/건식 Hybrid 탈착법]- 귀교관리번호 : P20190632KR- 출원번호 : 10-2019-0173783- 권리자 : 한양대학교 산학협력단
[카테고리 : 2021]
[국내특허등록][원자층 증착법/분자층 증착법을 이용한 유연 반도성, 전도성 선택적 소재 공정 기술]- 귀교관리번호 : P20190364KR- 출원번호 : 10-2019-0059350- 출원의 명칭 : 유-무기 하이브리드 박막 및 그 제조..
[카테고리 : 2021]
[국내특허등록][기체 확산 억제기능을 갖는 SiNx 박막이 활용된 세 층 이하의 Si 기반의 박막봉지 소재, 구조 및 공정기술]- 출원번호 : 10-2019-0094862- 권리자 : 한양대학교 산학협력단
[카테고리 : 2021]
[국내특허등록][ALD를 이용하여 제작한 수소 확산 방지막을 이용한 LTPO TFT의 전기적 특성 및 신뢰성 개선 방법 및 그의 응용]귀교관리번호 : P20180785OP출원번호 : 10-2019-0041549출원의 명칭 : 수소 확산 방지..
[카테고리 : 2021]
[해외특허등록][산화물 박막 트랜지스터의 최적 수소 정량적 도핑 기술]- 출원번호 : 201711401628.7- 출원의 명칭 : THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURAING THE SAME AND DISPLAY DEVICE- 등..
[카테고리 : 2021]
[국내특허등록][하이브리드 박막 및 그 제조 방법]특허 : 제 10-2265169 호출원번호 : 제 10-2019-0084079 호출원일 : 2019년 07월 11일등록일 : 2021년 06월 09일
[카테고리 : 2021]
[국내특허등록][열전 소자 및 그 제조 방법]- 특허 : 제 10-2153634 호- 출원번호 : 제 10-2018-0145725 호- 출원일 : 2018년 11월 22일- 등록일 : 2020년 09월 02일
[카테고리 : 2021]
[국내특허등록][메탈리스 박막의 제조 방법, 그리고 미세패턴 제조 방법, 그리고 전자 소자의 제조 방법]- 특허 : 제 10-2230899 호- 출원번호 : 제 10-2019-0057772 호- 출원일 : 2019년 05월 17일- 등록일 : 2021..
[카테고리 : 2021]
[국내특허등록][산화그래핀/산화망간물 탈착층과 과산화수소 반응을 이용한 유연기판 탈착기술 개발]- 출원번호 : 10-2019-0024500- 출원의 명칭 : 그래핀 산화물과 망간 산화물을 포함하는 희생막을 포함하는 전자 ..
[카테고리 : 2021]
[국내특허등록] [탈착층과 물을 이용한 유연기판의 damage-free 탈착법]- 출원번호 : 10-2019-0024501- 출원의 명칭 : 그래핀 산화물을 포함하는 희생막과 물의 반응을 이용한 전자 소자, 및 그 제조 방법.- 권리자 ..
[카테고리 : 2021]