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[국내특허등록][산학협력단][P20180613OP][트랜지스터, 패널 및 트랜지스터의 제조방법] 출 원 번 호 10-2018-0154794출 원 일2018-12-04발명의 명칭트랜지스터, 패널 및 트랜지스터 제조방법출 원 인엘지디스플레이..
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[국내특허등록][산학협력단][P20180600OP][트랜지스터, 패널 및 트랜지스터의 제조방법]출 원 번 호 10-2018-0152029출 원 일2018-11-30발명의 명칭트랜지스터, 패널 및 트랜지스터의 제조방법출 원 인엘지디스플레..
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[국내등록특허] [서울산학협력단][P20180620OP] [반도체 소자 및 그 제조 방법] - 귀교관리번호: P20180620OP- 출원번호/출원일자: 10-2018-0147934 / 2018.11.27- 출원의 명칭: 반도체 소자 및 그 제조 방법- 출원..
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- [국내등록특허][10-2011-0095748] [팬코리아특허법인][산화물 반도체, 이를 포함하는 박막 트랜지스터, 및 박막트랜지스터 표시판] - 귀교관리번호: P20180620OP- 출원번호/출원일자: 10-2018-0147934 / 2018.11.2..
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[국내등록특허][10-2011-0095748] [팬코리아특허법인][산화물 반도체, 이를 포함하는 박막 트랜지스터, 및 박막트랜지스터 표시판]출 원 번 호 :제 10-2011-0095748 호발명의 명칭 :산화물 반도체, 이를 포함하는 박..
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[국내등록특허] [서울산학협력단][P20160339OP] [환원된 그래핀 옥사이드와 알루미늄 도핑된 산화아연 소재를 적층하여 만든 차세대 유-무기 복합 열전 소재의 개발]- 귀교관리번호: P20160339OP- 출원번호: 10-2016..
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[국외출원특허] [서울산학협력단][THIN FILM TRNASISTOR SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE] - 출원번호/출원일자: 2017-245726 [2017. 12. 22] 국 가일본출 원 번 호 [출 원 일]2017-245726 [2017. 12. 22]우 ..
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[국외출원특허] [서울산학협력단][THIN FILM TRNASISTOR SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND DISPLAY DEVICE]- 출원번호/출원일자: 201711401682.7 [2017. 12. 21] 국 가중국출 원 번 호 [..
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[국외출원특허] [서울산학협력단][THIN FILM TRNASISTOR SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE] - 출원번호/출원일자: 15/839,611 [2017. 12. 12]국 가미국출 원 번 호 [출 원 일]15/839,611 [2017. 12. 12]우 선 ..
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[국내등록특허] [서울산학협력단][P20180098OP] [분자층 증착법을 이용한 선택적 박막 성장 응용]- 귀교관리번호: P20180098OP- 출원번호/출원일자: 10-2018-0061713 / 2018.05.3
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[국내등록특허][서울산학협력단][P20180099OP] [원자층 증착법과 분자층 증착법을 이용한 초미세 패터닝 기술 개발]- 귀교관리번호: P20180099OP- 출원번호/출원일자: 10-2018-0061692 / 2018.05.30
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[국내등록특허], [서울산학협력단][P20160339OP] [환원된젿瀏′�졒좀瑛絹恙�졑腔濚甄퐷도핑된졎位�아연졏弩潁쬊적층하여졇링�졖太섦�졓�-무기졋므�졒�전졏弩瑛�젾낱�] -젿告낡桓�번호: P20160339OP-졗藪篇廢�: 10-20..
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[국제등록특허][팬코리아특허법인][OPP20110168CN] [산화물 반도체] - 출원번호: 201210359296.7
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[국내등록특허][서울산학협력단][P20150163OP] [UV/O3 기능이 내장된 저온 분무 기상 증착 장비 및 이를 이용한 저온 Aluminum oxide (Al2O3) 박막 성막 기술] - 귀교관리번호: P20150163OP - 출원번호: 10-..
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[국내등록특허][서울산학협력단][P20140835OP] [분무 기상 화학 증착법을 이용한 Zn doped SnO2 반도체 제조 방법 및 그의 응용] 등록귀교관리번호 : P20140835OP- 출원번호 : 10-2015-0025642- 출원의 명칭 : 아연..
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[국내등록특허][서울산학협력단][P20150164OP] [UV/O3 및 Thermal 동치 처리를 통한 저온/유연 산화물 반도체 박막 트랜지스터 소자의 전기적 특성의 향상 ]- 귀교관리번호 : P20150164OP-출원번호 : 10-2015-005829..
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[국내등록특허], [서울산학협력단][P20160767OP] [알루미늄 알콕사이드를 포함하는 절연 박막을 포함하는 유기 절연 소재 및 그 제조 방법]- 귀교관리번호: P20160767OP- 출원번호: 10-2017-0015178- 출원의 명칭: ..
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[국제등록특허], [서울산학협력단][P20160766OP] [자가치유 트랜지스터 및 트랜지스터의 자가치유 방법]- 귀교관리번호 : P20160766OP- 출원번호 : 10-2017-0015174- 출원의 명칭 : 자가치유 트랜지스터 및 트랜지스..
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[국제등록특허], [서울산학협력단][P20140523OP] [기능성 보호층을 갖는 Zinc oxynitride(ZnON) 박막트랜지스터(TFTs)제조 방법 ]- 귀교관리번호 : P20140523OP- 출원번호 : 10-2014-0122957- 출원의 명칭 : 박막 트..
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[국제등록특허] 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법, PCT/KR2015/009644
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