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[국내등록특허][10-2011-0095748] [팬코리아특허법인][산화물 반도체, 이를 포함하는 박막 트랜지스터, 및 박막트랜지스터 표시판]출 원 번 호 :제 10-2011-0095748 호발명의 명칭 :산화물 반도체, 이를 포함하는 박..
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[국내등록특허] [서울산학협력단][P20160339OP] [환원된 그래핀 옥사이드와 알루미늄 도핑된 산화아연 소재를 적층하여 만든 차세대 유-무기 복합 열전 소재의 개발]- 귀교관리번호: P20160339OP- 출원번호: 10-2016..
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[국외출원특허] [서울산학협력단][THIN FILM TRNASISTOR SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE] - 출원번호/출원일자: 2017-245726 [2017. 12. 22] 국 가일본출 원 번 호 [출 원 일]2017-245726 [2017. 12. 22]우 ..
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[국외출원특허] [서울산학협력단][THIN FILM TRNASISTOR SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND DISPLAY DEVICE]- 출원번호/출원일자: 201711401682.7 [2017. 12. 21] 국 가중국출 원 번 호 [..
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[국외출원특허] [서울산학협력단][THIN FILM TRNASISTOR SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE] - 출원번호/출원일자: 15/839,611 [2017. 12. 12]국 가미국출 원 번 호 [출 원 일]15/839,611 [2017. 12. 12]우 선 ..
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[국내등록특허] [서울산학협력단][P20180098OP] [분자층 증착법을 이용한 선택적 박막 성장 응용]- 귀교관리번호: P20180098OP- 출원번호/출원일자: 10-2018-0061713 / 2018.05.3
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[국내등록특허][서울산학협력단][P20180099OP] [원자층 증착법과 분자층 증착법을 이용한 초미세 패터닝 기술 개발]- 귀교관리번호: P20180099OP- 출원번호/출원일자: 10-2018-0061692 / 2018.05.30
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[국내등록특허], [서울산학협력단][P20160339OP] [환원된젿瀏′�졒좀瑛絹恙�졑腔濚甄퐷도핑된졎位�아연졏弩潁쬊적층하여졇링�졖太섦�졓�-무기졋므�졒�전졏弩瑛�젾낱�] -젿告낡桓�번호: P20160339OP-졗藪篇廢�: 10-20..
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[국제등록특허][팬코리아특허법인][OPP20110168CN] [산화물 반도체] - 출원번호: 201210359296.7
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[카테고리 : 2018]
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[국내등록특허][서울산학협력단][P20150163OP] [UV/O3 기능이 내장된 저온 분무 기상 증착 장비 및 이를 이용한 저온 Aluminum oxide (Al2O3) 박막 성막 기술] - 귀교관리번호: P20150163OP - 출원번호: 10-..
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[카테고리 : 2018]
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[국내등록특허][서울산학협력단][P20140835OP] [분무 기상 화학 증착법을 이용한 Zn doped SnO2 반도체 제조 방법 및 그의 응용] 등록귀교관리번호 : P20140835OP- 출원번호 : 10-2015-0025642- 출원의 명칭 : 아연..
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[국내등록특허][서울산학협력단][P20150164OP] [UV/O3 및 Thermal 동치 처리를 통한 저온/유연 산화물 반도체 박막 트랜지스터 소자의 전기적 특성의 향상 ]- 귀교관리번호 : P20150164OP-출원번호 : 10-2015-005829..
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[카테고리 : 2017]
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[국내등록특허], [서울산학협력단][P20160767OP] [알루미늄 알콕사이드를 포함하는 절연 박막을 포함하는 유기 절연 소재 및 그 제조 방법]- 귀교관리번호: P20160767OP- 출원번호: 10-2017-0015178- 출원의 명칭: ..
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[카테고리 : 2017]
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[국제등록특허], [서울산학협력단][P20160766OP] [자가치유 트랜지스터 및 트랜지스터의 자가치유 방법]- 귀교관리번호 : P20160766OP- 출원번호 : 10-2017-0015174- 출원의 명칭 : 자가치유 트랜지스터 및 트랜지스..
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[카테고리 : 2017]
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[국제등록특허], [서울산학협력단][P20140523OP] [기능성 보호층을 갖는 Zinc oxynitride(ZnON) 박막트랜지스터(TFTs)제조 방법 ]- 귀교관리번호 : P20140523OP- 출원번호 : 10-2014-0122957- 출원의 명칭 : 박막 트..
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[국제등록특허] 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법, PCT/KR2015/009644
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[카테고리 : 2016]
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[국제등록특허]OXIDE SEMICONDUCTOR, THIN FILM TRANSISTOR INCLUDING THE SAME, AND THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL INCLUDING THE SAME안병두, 이제훈, 박세용, 박준현, 김건희, 임지훈, 박재우,박진성, 도시히..
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[카테고리 : 2015]
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국제등록특허, ByungDu Ahn, Jun Hyung Lim, Jin Seong Park, Thin film transistor and thin filmtransistor array panel including the same, US 8957415 (2015)
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[카테고리 : 2015]
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국내등록특허, 박진성외, 분광학적 타원해석법을 이용한 전자 소자의 특성 평가 방법, 20140203,10-1360540
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[카테고리 : 2014]
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국제등록특허, Hyun-soo Shin, Yeon-gon Mo,Jae-kyeong Jeong, Jin-seong Park, Hun-jung Lee, Jong-han Jeong, Method ofmanufacturing thin film transistor, US 8871566 (2014)
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[카테고리 : 2014]
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PUBLICATION
Patent
