홈페이지의 새로운 패러다임

지속적인 연구개발을 통한 제품개발과 품질향상에 노력하고 있습니다.

patent

journal
patent
conference
 

PUBLICATION  Patent

patent

 

 

조회수 331
카테고리 2017
제목 [서울산학협력단][P20140835OP] [분무 기상 화학 증착법을 이용한 Zn doped SnO2 반도체 제조 방법 및 그의 응용] 등록
 [국내등록특허][서울산학협력단][P20140835OP] [분무 기상 화학 증착법을 이용한 Zn doped SnO2 반도체 제조 방법 및 그의 응용] 등록

귀교관리번호 : P20140835OP

- 출원번호 : 10-2015-0025642

- 출원의 명칭 : 아연이 도핑된 주석 산화물 박막의 제조 방법

- 권리자 : 한양대학교 산학협력단

- 등록번호 : 10-1761995

- 등록일자 : 2017. 07. 20

첨부파일