[국내특허출원][서울산학협력단][P20180804OP][ALD공정을 통해 고유전율 물질과 실리콘 옥사이드 적층구조의 실리콘 옥사이드 두께 최적화]특허가 출원되었습니다.


- 귀교관리번호: P20180804OP
- 출원번호: 10-2019-0019423
- 권리자: 한양대학교 산학협력단
- 출원일 : 2019.02.19