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조회수 242
카테고리 2020
No 215
제목 10. [IEEE Transactions on Electron Devices] Hydrogen Impacts of PEALD InGaZnO TFTs Using SiOx Gate Insulators Deposited by PECVD and PEALD

10. [IEEE Transactions on Electron Devices] Hydrogen Impacts of PEALD InGaZnO TFTs  Using SiOx Gate Insulators Deposited by PECVD and PEALD



Seok-Goo Jeong, Hyun-Jun Jeong , Wan-Ho Choi, KyeongRok Kim, and Jin-Seong Park

첨부파일
09179008.pdf