[ALD공정을 통해 고유전율 물질과 실리콘 옥사이드 적층구조의 실리콘 옥사이드 두께 최적화]의 등록 완료되었습니다.


- 출원번호: 10-2019-0019423
- 출원의 명칭: 고유전율 트랜지스터 및 그 제조방법
- 권리자: 한양대학교 산학협력단
- 등록번호: 10-2180242
- 등록일자: 2020. 11. 12